| 型号： | IXTP1R6N100D2 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | IXYS | 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IXTP1R6N100D2 PDF |  |
| 产品目录绘图 | TO-220, TO-251 |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |